格芯（成都）项目 -九游会

格芯（成都）集成电路制造有限公司于成都高新技术产业开发区用地内建设格芯（成都）集成电路制造工程项目，项目占地450411.5平方米，项目总投资90.53亿美元。建设内容包括新建一座12英寸芯片生产厂房、生产调度及研发厂房、动力站及配套动力设施，形成线宽180纳米~22纳米集成电路芯片生产线。本项目的工艺技术是最初的180纳米cmos技术提高至22纳米fd-soi技术，产品为12英寸的纯晶圆代工，生产规模为月投片85000片。格芯（成都）集成电路制造有限公司于成都高新技术产业开发区用地内建设格芯（成都）集成电路制造工程项目，项目占地450411.5平方米，项目总投资90.53亿美元。。建设内容包括新建一座12英寸芯片生产厂房、生产调度及研发厂房、动力站及配套动力设施，形成线宽180纳米~22纳米集成电路芯片生产线。本项目的工艺技术是最初的180纳米cmos技术提高至22纳米fd-soi技术，产品为12英寸的纯晶圆代工，生产规模为月投片85000片。