作者: 中电四公司
发布于: 2019-11-01 00:00

格芯(成都)集成电路制造有限公司于成都高新技术产业开发区用地内建设格芯(成都)集成电路制造工程项目,项目占地450411.5平方米,项目总投资90.53亿美元。建设内容包括新建一座12英寸芯片生产厂房、生产调度及研发厂房、动力站及配套动力设施,形成线宽180纳米~22纳米集成电路芯片生产线。本项目的工艺技术是最初的180纳米cmos技术提高至22纳米fd-soi技术,产品为12英寸的纯晶圆代工,生产规模为月投片85000片。格芯(成都)集成电路制造有限公司于成都高新技术产业开发区用地内建设格芯(成都)集成电路制造工程项目,项目占地450411.5平方米,项目总投资90.53亿美元。。建设内容包括新建一座12英寸芯片生产厂房、生产调度及研发厂房、动力站及配套动力设施,形成线宽180纳米~22纳米集成电路芯片生产线。本项目的工艺技术是最初的180纳米cmos技术提高至22纳米fd-soi技术,产品为12英寸的纯晶圆代工,生产规模为月投片85000片。

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